방식:포터블
사고 방식:808nm
샷:4000만
방식:고정형
사고 방식:755nm 808nm 1064nm
샷:4000만
기계:반도체 다이오드 레이저
파장:808nm
에너지:11-150j/cm2
기계:반도체 다이오드 레이저
파장:808nm/755nm 940nm 1064nm(선택)
에너지:1-150J/cm2
기계:반도체 다이오드 레이저
파장:808nm/532nm+755nm+1064nm
에너지:1-150J/cm2
기계:반도체 다이오드 레이저
파장:808nm/532nm+755nm+1064nm
에너지:1-150J/cm2
기계:반도체 다이오드 레이저
파장:808nm
에너지:11-150j/cm2
기계:1 808nm 다이오드 레이저에서 2
파장:808nm/755nm+532nm+1064nm
에너지:1-150J/cm2
기계:808nm 다이오드 레이저
파장:808nm
에너지:11~500j/cm2
기계:808nm 다이오드 레이저
파장:808nm+/-10nm
에너지:11~500j/cm2
기계:808nm 다이오드 레이저
파장:808nm/808nm+1064nm+755nm
에너지:11~500j/cm2
기계:차세대 반도체 레이저 제모기
파장:808nm/808nm+1064nm+755nm
에너지:1-500J/cm2